产品详情
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参数
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特性
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封装
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说明
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VM Range
5.5V-45V
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VM Max
55V
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Isleep
5uAmax
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Control mode
SPI
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Control Interface
PH/EN, IndepenSENt H-Bridge,
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Standard PWM
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Gate Drive Current
190mA Source
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360mA Sink
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Current-shunt Amp drift offset:
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7uV/°C Typ
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Current-Shunt Amplifier Gains:
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10/20/40/78
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Operation temperature:
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–40°C to +125°C
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• 车规级AEC-Q100 认证器件温度等级1
−40°C 至125°C 工作环境温度• 单H 桥栅极驱动器驱动四个外部N 沟道MOSFET支持100% PWM 占空比• 电源电压范围
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QFN32
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DR703Q 是针对汽车应用的智能单 H 桥驱动器,可同时驱动四个外部 N 沟道 MOSFET 以实现双向有刷直流电机。 DR703Q 支持 SPI 配置接口。两款器件均支持 PH/EN、独立 H-Bridge 或标准 PWM接口,可实现正向、反向、slow decay、coast 等多种电机控制。此外,集成电荷泵架构支持 100%占空比输出,也可用于驱动外部电池反接保护开关。DR703Q还可以通过独立半桥模式以经济高效的方式顺序控制多个直流电机。DR703Q 集成了电流采样放大器,并包含使用固定关断时间 PWM 电流斩波来调节绕组电流的功能。通过集成智能栅极驱动器模块,DR703Q 器件可以保护外部 FET,而无需任何外部栅极组件,如电阻器和齐纳二极管等。DR703Q 器件结合了保护功能和栅极驱动可配置性,以提高设计的简单性并将电机系统的智能提升到一个新的水平。例如,可配置死区时间优化可避免直通、有源/无源下拉,并防止 dV/dT 栅极转动;可编程转换率控制在降低 EMI 方面提供了灵活性。 DR703Q 还集成了各种保护功能—UVLO、CPUV、OCP、TSD、GDF、看门狗定时器等。DR703Q 器件采用 QFN-32 封装。